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KPEL-S系列小功率直流電子負(fù)載-天津科億維

在開關(guān)電源的調(diào)試中，充電器的測試中，電子負(fù)載起到了功不可沒的作用，那么電子負(fù)載原理是什么呢?趕快跟隨小編一起來漲姿勢吧~

　　一、電子負(fù)載原理- -簡介

　　電子負(fù)載，英文名稱為electronic load，是一種通過控制內(nèi)部功率或晶體管的導(dǎo)通量來達(dá)到準(zhǔn)確檢測負(fù)載電壓、調(diào)整負(fù)載電流功能的電子元器件。電子負(fù)載主要可分完成恒流、恒壓、恒阻、恒功率四大功能，好了，廢話不多說，趕快為大家介紹一下四種功能實(shí)現(xiàn)的原理吧~

　　二、電子負(fù)載原理- -恒流模式

　　下圖所示是一個(gè)基本的恒流模式電子負(fù)載，電阻R1被稱為限流電阻，其電壓被限制為0.7V，因此可通過對R1阻值的改變來改變恒流值的大小，常用于一些功率較小且要求不高的場合中。

　　那么對于一些功率不小且要求高的場合怎么辦呢?下圖所示就是一個(gè)的恒流電路了，當(dāng)信號VREF給定時(shí)，OPO7的-IN小于+IN，使得MOS管加大導(dǎo)通量，進(jìn)而使得取樣電阻R3的電壓大于VREF，-IN大于+IN，OP07減小輸出，R3上電流減小，終使得電路終維持在一個(gè)給定值上，實(shí)現(xiàn)了恒流模式。

老化房電子負(fù)載原理及工作模式：

老化房老化電子負(fù)載的原理是控制內(nèi)功率MOT或晶體管的導(dǎo)通量（占空比大?。?，靠功率管的耗散功率消耗電能的設(shè)備。

電子負(fù)載的原理是控制內(nèi)功率MOSFET或晶體管的導(dǎo)通量(占空比),靠功率管的耗散功率消耗電能的設(shè)備,它能夠準(zhǔn)確檢測出負(fù)載電壓,調(diào)整負(fù)載電流,同時(shí)可以實(shí)現(xiàn)模擬負(fù)載短路,模擬負(fù)載是感性阻性和容性,容性負(fù)載電流上升時(shí)間.它的基本工作方式有恒壓、恒流、恒阻、恒功率這幾種.

　　1、恒定電流方式

　　在定電流模式中,在額定使用環(huán)境下, 不論輸入電壓大小如何變化, 電子負(fù)載將根據(jù)設(shè)定值來吸收電流.

　　若被測電壓在5~10V變化,設(shè)定電流為100mA,則當(dāng)調(diào)節(jié)被測電壓值時(shí),負(fù)載上的電流值應(yīng)維持在100mA不變, 而此時(shí)負(fù)載值是可變的.定電流模式能用于測試電壓源及AD/ DC電源的負(fù)載調(diào)整率.負(fù)載調(diào)整率是電源在負(fù)載變動情況下能夠提供穩(wěn)定的輸出電壓的能力, 是電源輸出電壓偏差率的百分比.

　　2、恒定電阻方式

　　此種狀態(tài)下,負(fù)載如純電阻,吸收與電壓成線性正比的電流.此方式適用于測試電壓源,電流源的啟動與限流特性.

　　在定電阻模式中, 電子負(fù)載將吸收與輸入電壓成線性的負(fù)載電流.

　　3、恒定電壓方式

　　在定電壓方式下電子負(fù)載將吸收足夠的電流來控制電壓達(dá)到設(shè)計(jì)值.定電壓模式能被使用于測試電源的限流特性.另外,負(fù)載可以模擬電池的端電壓,所以也可以使用于測試電池充電器.

　　4、恒定功率方式

　　在定功率工作模式時(shí),電子負(fù)載所流入的負(fù)載電流依據(jù)所設(shè)定的功率大小而定,此時(shí)負(fù)載電流與輸入電壓的乘積等于負(fù)載功率設(shè)定值,即負(fù)載功率保持設(shè)定值不變.

通常如果被測的直流電源的功率較大，而單個(gè)的電子負(fù)載沒有足夠的功率，我們可能會希望將多個(gè)電子負(fù)載進(jìn)行串聯(lián)或并聯(lián)來擴(kuò)展電子負(fù)載的功率。如果是電流不夠，我們可以通過將多臺電子負(fù)載并聯(lián)起來，但如果電壓不夠，是否也可以使用幾臺電子負(fù)載進(jìn)行串聯(lián)呢？

如果你這樣做，估計(jì)你不但不能夠?qū)崿F(xiàn)你的測試目的，更可能得到的結(jié)局是損壞電子負(fù)載。

接下來我們就一起分析這是為什么？當(dāng)然，我們必須事先了解電子負(fù)載是如何工作的，這個(gè)在之前的博客文章中有介紹。電子負(fù)載是通過控制和調(diào)整跨接在其輸入端的FET功率場效應(yīng)管RDS，似乎將多臺電子負(fù)載串聯(lián)應(yīng)該沒有什么大問題。如圖2所示，假如我們將兩臺串聯(lián)的電子負(fù)載都設(shè)置為CC 模式，而且設(shè)置為完全相同的電流值，譬如都設(shè)置為10.00A。但實(shí)際上電子負(fù)載不可能是的10.00A，如果其中一臺實(shí)際為9.99A，而另外一臺為10.01A。這樣一來，電子負(fù)載 2就不可能達(dá)到其設(shè)置值，因此，它就不停的減小FET的RDS直到0（短路），這樣所有的電壓就全部加載到電子負(fù)載1上使得它過壓損壞。